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发表于 2020-8-14 22:30:57
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本帖最后由 张浩-雷霆万钧 于 2020-8-14 23:04 编辑
stephenwu 发表于 2020-8-14 12:46
@张浩-雷霆万钧 请问在“锗晶体管制造工艺“里或其他地方,还有其他半导体器件的工艺图吗?例如NPN晶体管。 ...
有锗NPN,甚至理论上锗集成电路也可以,(最早是人工黑蜡,人工飞金线)。
不过已经好久不了解,具体图要找找。
早期区熔提纯技术还不成熟,所以在锗晶体提纯上采用了取巧的办法。
按正常工艺流程,应该是把锗尽量提纯,然把尽量纯的三族元素硼或者五族元素磷等掺杂,分别得到P型或者N型晶体,然后上面再用五族或三族扩散出PN结。
区熔法提纯有上限,大约二十来次,继续增加次数没有用,也就是物质纯度有上限。
但取巧的办法是,一边区熔提纯,同时加入需要掺杂的元素,譬如硼。这样得到晶体纯度不高,但却符合要求,还节约了步骤。
这样就得到掺杂好的晶体,P型或者N型都可以,只要掺杂的元素选择好。
但一般来说P锗晶体比较方便容易。
上面就是方案就是:
1得到P型晶体(三族元素已经掺好)。
2晶体上面扩散五族元素锑,就是PN结,然后N层上面烧结扩散铟镓合金球(三族元素)。就得到PNP。
所以NPN的工艺也类似,不过相对而言锗做PNP可能更方便。
其实手工合金扩散法还适用于砷化镓,这种半导体性能优良,尤其是恶劣环境下!所以现在还在航天与军用上。
砷化镓也是发光半导体材料,发光二级管!
只要做到PN晶片,就可以切割成小块与小条,夹在通电金属片间就可以发光。
做8字的数码管,字母显示。
还有你的定光显示器更简单,只要把发光点嵌入,通电就可发光,控制好就能显示图像。
不过我不太了解砷化镓,但老兔子说他有资料就是专门讲这方面的。
五十年代日本科学家提纯锗的思路创新!而不是技术硬件。
日本索尼二位科学家就是因为这个思路获得诺贝尔奖。
五十年代大家不断提纯锗,用于制作半导体,也只有锗可以提纯到可以量产晶体管甚至集成电路,而硅晶体的良率很可怜。
日本新力公司的江畸博士和助手黑田百合子也在不断进行探索,但每次试验都难免会混进一些物质,而且到了一定阶段后,每次测量都显示出在一定范围内的无规则的数据。显然他们的研究已经进入了一个死胡同。
后来在一次讨论中,他们重新考虑这个研究的问题,我们到底要研究什么?
经过反思,他们认识到他们原先对问题的定位不够准确,他们把问题局限在如何将锗提炼得更纯这一点上,但真正的问题是:让锗在晶体管中起到应有的作用,制造出更好的晶体管。
问题一旦明确了,他们的工作就容易进行了。他们去掉原来的前提,而另辟新途,既然提纯很难,那么可不可以添加一些杂质来达到目的?
于是他们有意地一点一点添加杂质,研究晶体管随着杂质的增加,性能发生的变化,终于他们发现:在将锗的纯度降到原来的一半时,晶体管的性能最理想。 |
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